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卓胜微
半导体工艺整合工程师-校招(博士)

半导体工艺整合工程师-校招(博士)

发布于 大约 3 小时前

普通员工/个人贡献者

无锡市
无经验要求
全职员工
仅现场办公
博士
研究与开发 (研发)
Dfb
Eml
光刻
刻蚀
半导体工艺
数据分析
激光器
Iii-V族
外延

AI 估算 · 20k–30k

博士校招,无锡半导体行业,薪资具有竞争力,且公司为上市企业

职位详情

关于这个职位

作为卓胜微的半导体工艺整合工程师,你将负责III-V族激光器(CW/EML)从设计到量产的全流程工艺整合与优化

工作涉及外延、光刻、刻蚀、金属化等核心工艺环节,需要与设计团队紧密协作,提升器件性能与良率
这是一个深入半导体前沿技术、参与国产芯片自主化的优质研发岗位

最低要求

博士优先,半导体物理、光电子、微电子等相关专业

有III-V族激光器(DFB/EML)研究经历,熟悉外延、工艺制程及测试
具备数据分析能力,良好的沟通能力和团队协作精神

工作职责

负责激光器外延、光刻、刻蚀、金属化等全流程工艺整合,优化工艺流程

协同设计团队进行工艺窗口验证,解决工艺与设计的匹配问题
分析流片数据,定位缺陷,提升器件性能和良率
编制工艺文件,跟踪前沿技术,推动激光器技术迭代

AI 洞察

优缺点分析

优点

  • 接触最前沿的III-V族激光器工艺,技术壁垒高,积累核心竞争力
  • 公司为国内射频前端龙头,平台稳定,研发资源充足
  • 博士校招起薪高,无锡生活成本相对较低,性价比突出
  • 工艺整合涉及多个复杂环节,学习曲线陡峭,需要吃透全流程
  • 半导体工艺对精度要求极高,良率提升需要反复实验和数据分析,工作强度较大
  • 与设计团队紧密配合,沟通成本高,需要较强的协调能力
  • 适合对半导体工艺有浓厚兴趣、具备扎实物理基础且愿意深入产线解决问题的博士毕业生

缺点 / 挑战

暂无明显挑战项

角色解读

  • 纵向发展:从工艺整合工程师成长为技术专家或项目负责人,主导激光器工艺研发
  • 横向扩展:可转向芯片设计、器件物理或产品管理等领域,成为复合型人才
  • 行业前景:半导体国产替代加速,III-V族光芯片人才稀缺,长期发展空间广阔
  • 负责激光器全流程工艺整合,包括外延、光刻、刻蚀、金属化等关键环节,确保工艺稳定性和可量产性
  • 与设计团队协作,验证工艺窗口,解决设计与工艺的匹配问题,提升器件性能
  • 分析流片数据,定位缺陷根因,优化工艺参数以提高良率
  • 跟踪行业前沿技术,编制工艺文件,推动激光器技术迭代
  • 坚实的半导体物理与光电子学基础,熟悉III-V族材料特性
  • 掌握激光器(DFB/EML)的工艺制程,如外延生长、光刻、刻蚀等
  • 具备数据分析能力,能使用统计工具分析流片数据
  • 良好的沟通协作能力,能与设计、生产等多部门协同工作

申请策略

  • 关注公司官网和招聘公众号,校招流程通常包含笔试和两轮技术面试
  • 准备一个完整的研究项目介绍,重点展示工艺优化思路和问题解决能力
  • 突出博士期间III-V族激光器研究经历,特别是DFB/EML相关项目
  • 强调工艺制程经验,如外延、光刻、刻蚀的具体操作和优化成果
  • 展示数据分析能力,例如通过统计方法提升良率的案例
  • 如有专利或论文,列出与激光器工艺相关的内容
  • 补充半导体工艺仿真软件(如Silvaco、Sentaurus)的使用经验
  • 学习统计过程控制(SPC)和实验设计(DOE)方法,提升良率分析能力

面试指南

  • STAR法则(情境-任务-行动-结果)用于描述项目经历和解决问题过程
  • 技术深度与广度结合:先讲理论基础,再结合实际工艺数据,最后总结影响
  • 逻辑分层:从工艺到器件再到系统,阐述每个环节的关联和优化策略
  • 请详细说明你博士期间研究的III-V族激光器结构及其工艺难点
  • 如何评估不同刻蚀条件对器件性能的影响?举例说明
  • 当流片良率低于预期时,你会如何系统性地排查和解决?
  • 如何看待工艺整合工程师与设计工程师的协作关系?
  • 你对半导体行业国产替代的理解是什么?卓胜微在其中的角色?

职位点评

68
综合评分

前沿工艺整合研发岗,技术成长极佳,薪资有竞争力,但WLB不明确

从起薪待遇、成长路径、工作节奏和岗位方向综合评估,方便比较职业起点。

更适合这类人
最适合追求技术成长和前沿研发机会的博士毕业生,对工作生活平衡要求不高。
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利60
成长发展85
工作生活50
使命价值70

薪资福利

60中等

薪资未披露,但博士校招通常有竞争力,公司为上市企业,稳定性良好,福利待确认。

薪资信号未披露(AI估算:20K-30K/月)

成长发展

85较高

职位涉及前沿III-V族激光器工艺,技术含量高,成长空间大,但JD未明确提及培训或晋升通道。

技术前沿前沿/新兴技术
技术栈III-V族、激光器、DFB、EML、外延、光刻、刻蚀
业务类型profit_center

工作生活

50较低

现场办公,无锡市区,但未提及弹性工作或WLB信息,可能存在加班压力。

工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况未提及(无法判断)

使命价值

70中等

半导体行业处于国产替代高速增长期,但该岗位社会影响力中性,创新程度积极。

行业发展高速增长赛道
社会影响中性/一般
创新程度积极采用新技术
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