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器件集成设计岗（刻蚀）(J52388)
器件集成设计岗（刻蚀）(J52388)
发布于 大约 5 小时前普通员工/个人贡献者
北京市
高级经验
全职员工
仅现场办公
本科
研究与开发 (研发)
Icp
Sic
刻蚀工艺
工艺优化
设备调试
Ribe
Tio2
衍射光栅
AI 估算 · 20k–35k
北京半导体研发岗，5-10年经验，技术要求高，薪资在行业中等偏上水平。
职位详情
关于这个职位
该岗位主要负责半导体刻蚀工艺的研发与优化，涉及RIBE、ICP等核心设备，需要独立开发刻蚀工艺流程并解决图形保真度、表面粗糙度等技术难题
适合有5-10年刻蚀工艺经验、熟悉光栅结构的技术专家
最低要求
本科及以上学历
5-10年左右相关工艺研发经验
掌握离子刻蚀工艺原理，熟悉刻蚀设备操作与参数调试
能独立开发原理验证阶段 ICP 与 RIBE 刻蚀工艺，优化样机阶段刻蚀参数
了解衍射光栅刻蚀工艺与光栅结构，有解决工艺难点的经验
工作职责
负责RIBE设备及核心工艺设备与技术，进行工艺评估并建立标准工艺流程
负责SiC与玻璃基板上TiO2，倾斜光栅刻蚀，以及ICP刻蚀硬掩模的工艺评估及标准工艺流程的简历
AI 洞察
优缺点分析
优点
- 京东方作为显示面板龙头，工艺平台大，技术积累深厚
- 刻蚀工艺是半导体核心环节，技能壁垒高，长期价值好
- 北京大兴区作为产业集群，未来职业发展机会多
- 刻蚀工艺调试工作可能涉及较多现场实验，工作强度不低
- 显示行业周期性波动，可能影响项目节奏
- 适合在刻蚀工艺领域有多年经验，希望深耕技术并加入大平台稳定发展的工程师
缺点 / 挑战
- -10年经验要求较高，对候选人专精度有较高门槛
角色解读
- 可向工艺技术专家方向发展，成为刻蚀领域的技术负责人
- 也可横向拓展至其他半导体工艺（如薄膜、光刻），或转向工艺整合岗位
- 在显示行业积累经验后，可进入半导体晶圆制造领域，薪资和平台更优
- 评估和建立标准刻蚀工艺流程，确保RIBE和ICP等设备工艺稳定
- 开发SiC、玻璃基板等新材料上的刻蚀工艺，解决图形保真度和粗糙度问题
- 优化样机阶段刻蚀参数，参与衍射光栅等结构的工艺验证
- 精通离子刻蚀工艺原理，熟悉RIBE和ICP设备操作与调试
- 具备独立开发新工艺的能力，能解决刻蚀过程中的技术难题
- 了解衍射光栅结构，有相关工艺经验者优先
申请策略
- 在简历中体现对京东方公司及产品线的了解，尤其是其OLED和Micro LED方向
- 面试前准备一个完整的工艺开发案例，从问题分析到方案验证
- 重点突出RIBE/ICP设备经验，列出主导过的刻蚀工艺开发项目
- 强调对光栅结构、SiC等新材料刻蚀的理解和成果
- 量化工艺优化成果，如关键尺寸均匀性、刻蚀速率提升等数据
- 补充学习衍射光栅设计基础，了解光学器件对刻蚀的特定要求
- 熟悉半导体洁净室规范和FMEA、DOE等工艺开发方法论
面试指南
- 技术问题：先讲原理，再结合自身项目经验，最后总结方法
- 案例类问题：使用STAR法则（情境-任务-行动-结果）
- 开放性问题：从多个角度分析，如工艺参数、设备条件、材料特性
- 请简述RIBE和ICP刻蚀的原理及各自适用场景
- 在刻蚀过程中，如何解决图形保真度和表面粗糙度的问题？
- 你有没有开发过新材料的刻蚀工艺？具体流程和难点是什么？
- 如何设计一个实验来优化刻蚀速率和均匀性？
- 你对衍射光栅刻蚀有哪些了解？
职位点评
68
综合评分
技术前沿、薪资面议、大厂平台，但工作地点固定且WLB模糊。
从薪资福利、成长空间、工作节奏和岗位方向综合评估，方便横向比较。
更适合这类人
适合看重技术成长和薪酬回报，能接受现场高强度工作的工程师。
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利70
成长发展85
工作生活45
使命价值60
薪资福利
70中等
薪资在行业中等偏上，京东方福利较好（五险一金、补充医疗等），但具体薪资未在JD中明确，需面议。
薪资信号面议 (20K-35K/月)
成长发展
85较高
该岗位技术前沿，涉及RIBE、ICP等核心刻蚀技术，能深度参与新工艺开发，成长空间大，但JD未明确提及培训或晋升通道。
技术前沿前沿/新兴技术
技术栈RIBE、ICP、刻蚀、衍射光栅、SiC
业务类型ambiguous
工作生活
45较低
工作地点为北京大兴区，需现场办公，可能涉及倒班或加班，未明确WLB信息。
工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况未提及（无法判断）
使命价值
60中等
京东方作为国内显示面板龙头，推动半导体显示技术发展，有一定社会价值和行业影响力，但岗位本身偏向工艺开发，使命感一般。
行业发展稳定成熟行业
社会影响中性/一般
创新程度积极采用新技术
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