
长鑫存储
高速I/O设计工程师-High Speed I/O Circuit Design Engineer(J18268)
高速I/O设计工程师-High Speed I/O Circuit Design Engineer(J18268)
发布于 大约 14 小时前普通员工/个人贡献者
上海市
中级经验
全职员工
仅现场办公
学历未注明
芯片设计
Cmos
Ctle
Ddr Phy
Dfe
Ffe
Matlab
Serdes
Pam3/4
AI 估算 · 25k–45k
上海芯片设计岗位,中级经验,长鑫存储作为头部存储厂商,薪资具有竞争力,结合市场行情估算。
职位详情
关于这个职位
该职位负责存储产品中高速IO接口电路的设计与优化,涉及高速收发器、信号均衡器等关键模块
你将参与芯片级架构设计、建模仿真及版图指导,并支持测试部门的问题调试
适合有2年以上高速接口设计经验、熟悉SerDes和DDR PHY的硬件工程师
最低要求
熟悉并深入理解器件物理和CMOS工艺;
至少2年以上的高速接口电路设计经验,有成功流片经验者优先考虑;
精通SerDes,DDR PHY,PAM3/4等高速接口协议与架构者优先考虑;
熟悉掌握DFE/CTLE/FFE等均衡技术和高速时钟分布技术;
熟悉高速电路设计方法;
具有系统级建模能力,工具不局限于matlab和verilog etc;
熟悉EDA设计工具,如spectre/hspice,finesim,virtuoso, star RC等;
良好的团队合作精神和沟通能力,以及较强的学习能力和勇于挑战新技术
工作职责
针对应用与存储产品中的高速IO接口电路进行架构设计,电路设计以及验证优化;
开发高速接口电路架构,重点在于高速收发器和信号均衡器等;
模拟系统的建模和仿真,不局限于使用matlab/verilog-A 等建模工具;
熟悉EDA工具,进行项目开发;
指导layout工程师进行版图设计,并提出针对电路需求的版图设计要求;
熟悉存储产品系统行为,为测试和系统部门测试和debug 提供技术支持;
预先研究用于下一代DRAM的先进高速IO技术
优先资格
有成功流片经验者优先考虑;精通SerDes,DDR PHY,PAM3/4等高速接口协议与架构者优先考虑
AI 洞察
优缺点分析
优点
- 存储行业是半导体核心赛道,长鑫存储为国内DRAM龙头,技术积累深厚
- 高速IO设计是芯片设计中的高价值领域,技能含金量高,市场稀缺
- 参与先进工艺(如1X nm DRAM)和下一代技术预研,个人成长空间大
- 公司提供完整的流片机会,有助于积累实战经验
- 高速接口设计对信号完整性和功耗要求极高,技术难度大
- 需要持续学习前沿协议(如PAM3/4)和工艺演进,学习成本高
- 适合有2年以上高速接口设计经验、热爱模拟/混合信号电路、愿意深耕存储领域的硬件工程师
缺点 / 挑战
- 芯片流片周期长,项目压力大,可能需要应对紧急调试任务
角色解读
- 从高速IO设计工程师向资深架构师发展,主导复杂接口IP的研发
- 横向拓展至存储系统全链路设计,成为系统级专家
- 向技术管理岗位晋升,带领团队完成芯片流片项目
- 负责高速IO接口电路(如SerDes、DDR PHY)的架构设计与电路实现
- 使用Matlab/Verilog-A进行系统建模与仿真,优化信号完整性
- 指导版图设计,确保电路性能
- 为测试部门提供技术支持,解决系统调试问题
- 跟踪前沿技术,参与下一代DRAM高速IO技术的预研
- 深入理解CMOS工艺和器件物理,具备模拟/混合信号电路设计基础
- 精通高速收发器、均衡器(DFE/CTLE/FFE)和时钟分布技术
- 熟练使用EDA工具(Spectre、Hspice、Virtuoso等)进行电路仿真
- 具备系统级建模能力,掌握Matlab/Verilog-A等建模语言
申请策略
- 关注长鑫存储的技术方向(如DDR5、HBM),在面试中展示相关了解
- 准备一个完整的设计案例,从架构设计到流片测试,体现全流程参与
- 突出高速接口设计的具体项目,包括流片经历、芯片规格和测试结果
- 详细描述在均衡技术(DFE/CTLE/FFE)和时钟设计方面的实际应用
- 展示建模能力,例如用Matlab/Verilog-A进行过哪些系统级仿真
- 提及使用过的EDA工具(Spectre、Finesim、Virtuoso)及版图指导经验
- 深入学习SerDes和DDR PHY的协议标准(如JEDEC DDR5/LPDDR5)
- 补充高速电路仿真技巧,尤其是后仿和蒙特卡洛分析
面试指南
- 以具体项目为例,遵循STAR法则(情境-任务-行动-结果),强调设计决策依据和量化结果
- 对技术概念回答,先定义基本原理,再结合实际应用场景,最后指出设计权衡
- 请详细描述你参与过的高速IO电路设计项目,包括遇到的挑战和解决方案
- 解释DFE和CTLE的工作原理,以及它们在高速接收器中的应用差异
- 如何评估和优化高速接口的噪声容限和抖动性能?
- 在版图设计中,如何减小寄生效应以匹配电路性能要求?
- 你对下一代DRAM高速IO技术(如PAM3/4)有哪些了解?
- 复习模拟集成电路基础(如运放、锁相环、差分对)和高速信号完整性知识
职位点评
75
综合评分
存储龙头,前沿高速IO技术,薪资中上,WLB一般,技术成长极佳。
从薪资福利、成长空间、工作节奏和岗位方向综合评估,方便横向比较。
更适合这类人
适合追求技术深度和行业前沿、能够接受一定工作强度的求职者,尤其希望在存储芯片领域长期发展。
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利75
成长发展90
工作生活50
使命价值80
薪资福利
75中等
长鑫存储作为国内存储巨头,薪资水平在行业中上,且有年终奖金和福利补贴,但JD未明确具体数字,属于市场水准。
薪资信号未披露(AI估算:25K-45K/月)
成长发展
90较高
该职位涉及前沿高速IO技术(如PAM3/4、SerDes),且有预研任务,技术栈先进,能显著提升个人专业能力。
技术前沿前沿/新兴技术
技术栈SerDes、DDR PHY、PAM3/4、DFE、CTLE、FFE、CMOS、EDA
业务类型ambiguous
工作生活
50较低
工作地点在上海,且为现场办公,未提及弹性工作或远程,芯片设计行业通常加班较多,WLB一般。
工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况未提及(无法判断)
使命价值
80较高
存储芯片是国产替代的关键领域,长鑫存储处于行业前沿,参与DRAM自主研发具有较高的社会价值和使命感。
行业发展高速增长赛道
社会影响正向社会影响力较高
创新程度积极采用新技术
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