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长鑫存储
DRAM电路设计工程师（DFT）-DRAM Circuit Design Engineer（DFT）(J16545)
立即应聘

DRAM电路设计工程师（DFT）-DRAM Circuit Design Engineer（DFT）(J16545)

发布于 大约 3 小时前

普通员工/个人贡献者

上海市 / 西安市
中级经验
全职员工
仅现场办公
硕士
硬件工程
Ate
Ddr
Dft
Dram
Lpddr
Mbist
Virtuoso
低功耗设计
混合信号电路

AI 估算 · 18k–35k

资深DFT工程师，硕士学历，工作地点涵盖一线和内陆城市，综合市场水平估算

职位详情

关于这个职位

作为长鑫存储的DRAM电路设计工程师（DFT方向），你将参与芯片级DFT架构定义与设计，采用全定制和低功耗方法完成DFT电路设计，并与ATE测试团队协同提升良率

该职位需要扎实的电路设计基础和EDA工具使用经验，是半导体行业技术深耕的优质选择

最低要求

教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、集成电路或相关专业毕业，对数字/模拟电路和CMOS器件原理有深入认识

专业技能与资格：能使用Spectre、finesim、Hspice、Virtuoso、Calibre等EDA设计工具，具备混合信号电路设计和验证经验，包括电路实现、时序分析和优化
行业与专业经验：有DDR/LPDDR DRAM产品设计和验证经验者优先，有全定制电路设计经验者优先
项目/任务成果：主导或深度参与过至少一款芯片的DFT架构设计与实现，包括MBIST或压缩测试模式方案
其他要求：具有良好的团队合作精神和沟通能力，学习能力强，能在灵活、充满活力的环境中自我激励

工作职责

芯片级DFT架构定义与设计：参与芯片DFT架构的定义与设计，确保芯片设计满足可测试性要求

DFT电路设计与优化：采用全定制电路设计方法和低功耗设计方法，完成DFT电路设计、仿真与优化，包括压缩测试模式、MBIST等
ATE协同与良率提升：协助测试工程师进行ATE硅片分析，调试测试failure，推动芯片良率提升
设计与测试软硬件协同：负责DRAM DFT设计与测试软硬件协同，推动测试效率提升与测试成本缩减
跨团队协作与指导：指导版图团队进行相关电路布局布线，协同验证团队进行电路调试和问题解决，与测试团队合作管理DFT需求与设计实现

优先资格

有DDR/LPDDR DRAM产品设计和验证经验者优先

有全定制电路设计经验者优先

AI 洞察

优缺点分析

优点

  • 长鑫存储是国内DRAM龙头，平台稳定，技术积累深厚
  • DFT方向专业性强，技能壁垒高，职业发展路径清晰
  • 参与先进存储芯片研发，紧跟半导体行业国产化浪潮
  • 多城市工作地点选择，可根据个人偏好调整
  • 岗位对混合信号和DFT深度要求高，学习曲线陡峭
  • 与ATE测试和良率分析紧密相关，需具备跨领域协调能力
  • 适合微电子/集成电路专业硕士及以上学历，对DFT设计有热情，愿意在半导体行业深耕技术、追求长期发展的求职者

缺点 / 挑战

  • 半导体制程复杂，项目周期长，可能需要应对较高的工作强度

角色解读

  • 技术深耕：成为DFT领域专家，主导更复杂的芯片测试方案
  • 管理方向：从工程师向技术主管或团队管理转型，负责项目整体交付
  • 跨领域拓展：向芯片设计、验证或测试全流程发展，提升系统级视野
  • 定义芯片级DFT架构，确保芯片可测试性满足要求
  • 使用全定制设计方法完成DFT电路（如MBIST、压缩测试）的设计、仿真与优化
  • 与ATE测试团队协作分析硅片数据，调试故障并推动良率提升
  • 指导版图布局布线，与验证、测试团队协同推进项目
  • 扎实的数字/模拟电路和CMOS器件知识，能进行混合信号电路设计
  • 熟练使用Spectre、Hspice、Virtuoso、Calibre等EDA工具
  • 有DFT架构设计经验，熟悉MBIST或压缩测试模式
  • 良好的团队协作和沟通能力，能在跨团队环境中高效工作

申请策略

  • 关注长鑫存储的技术创新和产品路线，面试中展示对DRAM行业的理解
  • 准备至少一个完整的DFT项目案例，从架构到实现细节
  • 突出硕士及以上学历和微电子相关专业背景
  • 详细描述主导或参与的DFT项目经验，特别是MBIST和压缩测试方案
  • 列举熟练使用的EDA工具（Spectre、Hspice、Virtuoso等），并强调全定制电路设计经验
  • 若有DDR/LPDDR DRAM相关经验，务必重点突出
  • 深入学习低功耗设计方法和先进DFT技术
  • 熟悉ATE测试流程和硅片分析工具，可提前了解

面试指南

  • STAR法则：描述情境、任务、行动和结果，突出个人在项目中的具体贡献
  • 技术问题：先阐述基本原理，再结合项目经验说明实际应用和优化方法
  • 请介绍你主导的DFT项目，包括架构选择和实现难点
  • 如何进行MBIST电路设计？遇到过哪些问题，如何解决？
  • ATE测试中遇到failure，如何分析并推动良率提升？
  • 混合信号电路设计中，时序分析和优化有哪些关键点？
  • 你如何与布局、验证、测试团队协作？举例说明
  • 复习DFT核心技术：MBIST、扫描链、压缩算法等

职位点评

69
综合评分

国产DRAM龙头技术岗位，行业前景好、技术深度高，但加班和WLB未明确。

从薪资福利、成长空间、工作节奏和岗位方向综合评估，方便横向比较。

更适合这类人
适合追求行业前景和技术深度的求职者，对WLB期望较低，更看重职业成长和使命感。
表现最好
使命价值
相对薄弱
工作生活
薪资福利75
成长发展70
工作生活50
使命价值80

薪资福利

75中等

长鑫存储作为国产DRAM领军企业，薪资水平在半导体行业具有竞争力，但JD未明确具体薪酬，需面议确认。

薪资信号未披露（AI估算：18K-35K/月）

成长发展

70中等

岗位涉及DFT前沿技术，能积累深度经验，但JD未提及明确的晋升通道或培训体系。

技术前沿主流现代技术
技术栈DFT、MBIST、DDR、LPDDR、混合信号电路、低功耗设计
业务类型profit_center

工作生活

50较低

仅现场办公，未提及弹性工时或远程选项，半导体行业工作节奏可能较快，WLB不确定。

工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况未提及（无法判断）

使命价值

80较高

半导体行业是国家重点支持的高增长赛道，国产DRAM突破具有显著社会价值，岗位使命感和行业前景突出。

行业发展高速增长赛道
社会影响正向社会影响力较高
创新程度积极采用新技术

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