
长鑫存储
器件研发(BJ)(J19640)
器件研发(BJ)(J19640)
发布于 大约 9 小时前普通员工/个人贡献者
北京市
无经验要求
全职员工
仅现场办公
硕士
研究与开发 (研发)
Cet-6
Dram
Hkmg
Tcad仿真
半导体工艺
可靠性评估
器件设计
微电子
AI 估算 · 18k–28k
半导体研发岗位,硕士应届生起薪较高,公司为行业龙头,薪资具竞争力,通常14薪。
职位详情
关于这个职位
该职位专注于DRAM存储器件的研发工作,涉及逻辑器件、核心区器件设计、TCAD仿真、HKMG工艺开发及可靠性评估
适合微电子、物理、材料等理工科背景的硕士/博士应届生,能够深入参与半导体存储技术的前沿研究
最低要求
学历要求:硕士及以上,博士优先
专业要求:微电子、电子工程、电子信息、物理、光学、材料、化学、数学、机械、微电子、计算机等理工科专业
其他要求:
通过CET-6,具备良好的英文听说读写能力
有半导体存储相关课题研究或者相关专利经验佳
具备出色的学习能力、沟通技巧、抗压能力、勤奋精神和团队合作意识
工作职责
DRAM逻辑器件设计及工艺开发
DRAM核心区器件设计及优化
制程工艺TCAD仿真
HKMG器件工艺开发
先进DRAM可靠性评估与改进
AI 洞察
优缺点分析
优点
- 国家级半导体产业,国产替代前景广阔,技术壁垒高
- 接触先进DRAM研发全流程,积累深厚技术经验
- 公司规模大,资源丰富,导师制培养新人
- 薪资福利在半导体行业有竞争力,校招待遇优厚
- 工作强度较大,研发周期紧张,可能需要加班
- 技术复杂度高,需要持续学习新工艺和工具
- 半导体行业竞争激烈,需要快速产出成果
- 适合半导体、微电子等理工科背景、对存储技术有热情、愿意在研发一线深耕的应届硕士/博士
缺点 / 挑战
暂无明显挑战项
角色解读
- 从器件工程师起步,逐步成为器件设计或工艺整合专家
- 可向TCAD仿真专家、可靠性工程师或产品工程师发展
- 未来有机会晋升为技术组长或研发经理
- 设计DRAM逻辑器件和核心区器件,优化电性能参数
- 使用TCAD软件进行工艺仿真,预测器件特性
- 开发HKMG(高K金属栅)等先进工艺模块
- 评估和改进先进DRAM的可靠性,如TDDB、NBTI等
- 扎实的半导体器件物理和工艺知识
- 熟悉TCAD仿真工具(如Sentaurus、Silvaco)
- 了解DRAM工作原理和存储单元结构
- 具备实验设计和数据分析能力
申请策略
- 在面试中展现对存储技术的深入理解,如不同DRAM架构的优劣
- 提前了解长鑫存储的产品线和研发重点,准备相关问题
- 突出半导体相关课题研究或专利,特别是DRAM或先进工艺方向
- 强调TCAD仿真或实验设计经历,附上成果数据
- 展示CET-6成绩和英文论文/文献阅读能力
- 列举团队合作和抗压能力的实际案例
- 提前学习TCAD仿真软件(如Sentaurus)的基本操作
- 复习半导体物理(如MOSFET、电容特性)和工艺集成知识
面试指南
- 技术问题:先明确核心概念,再分点阐述物理机制,最后结合实际案例或文献支持
- 项目经历:使用STAR(情境-任务-行动-结果)法则,突出个人贡献和量化成果
- 行业问题:从技术、市场、政策多角度分析,展现行业认知深度
- 请解释DRAM的基本单元结构和工作原理
- HKMG相比传统Poly/SiON工艺有哪些优势?
- 你如何进行TCAD仿真校准?举例说明
- 描述一个你在课题中遇到的技术难题及解决方法
- 你对国产存储器的发展前景怎么看?
职位点评
76
综合评分
高成长半导体研发岗,前沿技术,薪资中上,工作强度较大。
从起薪待遇、成长路径、工作节奏和岗位方向综合评估,方便比较职业起点。
更适合这类人
最看重技术成长和行业前景的应届毕业生,能接受现场办公和一定工作强度。
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利75
成长发展90
工作生活50
使命价值85
薪资福利
75中等
薪资在半导体校招中属于中上水平,福利包括五险一金、补充医疗等(JD未直接列出,但通常有),稳定性高。
薪资信号未披露(AI估算:18K-28K/月)
成长发展
90较高
技术前沿(DRAM研发),能接触到先进工艺和仿真工具,成长路径清晰,公司注重培养新人。
技术前沿前沿/新兴技术
技术栈DRAM、TCAD、HKMG、可靠性
业务类型profit_center
工作生活
50较低
办公地点在北京,需现场办公,研发岗可能有加班,未提及弹性工作。
工作模式仅现场办公
办公地点未明确
加班情况未提及(无法判断)
使命价值
85较高
半导体国产替代具有明显的社会价值和行业前景,公司使命是突破存储技术壁垒。
行业发展高速增长赛道
社会影响正向社会影响力较高
创新程度积极采用新技术
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