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卓胜微
工艺研发副经理

工艺研发副经理

发布于 大约 14 小时前

中层管理(经理/总监)

无锡市
高级经验
全职员工
仅现场办公
硕士
工艺工程
Gaas Hbt/Phemt
Saw滤波器
半导体制造
团队管理
射频器件
工艺建模
工艺开发
干法刻蚀
等离子体刻蚀

AI 估算 · 30k–50k

半导体工艺研发副经理岗位,技术要求高,经验年限长,行业薪资水平偏高,无锡地区月薪3-5万合理。

职位详情

关于这个职位

该职位负责SAW滤波器、GaAs射频器件等产品的干法工艺研发与迭代升级,主导新工艺从0到1的开发,并统筹刻蚀异常分析与改善

您将参与制定中长期工艺路线,管理研发团队,推动跨部门项目,是半导体制造环节的关键技术岗位

最低要求

全日制211院校以上硕士及以上学历,微电子、半导体物理、集成电路工程、化学、微机电等相关专业

特别具备自驱力的可以放宽到双一流本科学历
硕士8年以上/本科10年以上半导体开发刻蚀工艺开发经验
精通介质刻蚀、金属刻蚀、台面/光栅刻蚀全套工艺逻辑,熟悉刻蚀气体体系、功率/压力/偏压等关键参数调控,对干法刻蚀设备腔体结构、工艺演化迭代有体系化认知
工作积极主动,具备良好的沟通能力、团队合作精神以及较强对的责任心,能承受一定的工作压力
具备自我学习能力和自我管理能力,能根据器件性能要求转化为工艺方案

工作职责

负责 SAW 滤波器、GaAs HBT/pHEMT 射频器件、激光器/电光调制器等新产品干法工艺研发、瓶颈攻关、工艺迭代升级,主导新工艺 0-1 开发、工艺窗口搭建、规格标准建立,统筹刻蚀相关重大异常机理分析与长效改善方案落地

结合公司产品中长期战略,制定中长期工艺开发路线
配合产线扩产、新平台搭建拆解工艺落地节点,完成多代产品刻蚀工艺迭代规划
深入掌握刻蚀等离子体机理、材料刻蚀动力学、刻蚀选择比 / 侧壁形貌第一性底层原理,支撑新型器件工艺开发
统筹跨部门协同项目,推进工艺研发项目专案
负责工艺研发团队管理、技术培训与梯队人才培养,沉淀工艺数据库、标准实验方法与内部技术体系

优先资格

具备技术平台开发和维护能力,对工艺过程有模型层面的理解,有进行过工艺建模工作或者结构改造、新工艺导入发明专利者优先

AI 洞察

优缺点分析

优点

  • 半导体行业处于高速增长赛道,特别是射频芯片领域国产替代需求强劲,岗位前景广阔
  • 该岗位涉及前沿干法刻蚀技术,能深入掌握等离子体机理和工艺底层原理,技术积累深厚
  • 公司为国内射频芯片龙头卓胜微,平台实力强,能接触到完整的射频器件工艺线
  • 岗位有团队管理职责,能培养领导力,适合从技术向管理转型
  • 需要同时掌握技术深度和管理广度,跨部门协调项目复杂,对综合能力要求高
  • 适合在半导体刻蚀领域有多年积累、熟悉射频器件工艺、希望转向管理岗位的资深工艺工程师

缺点 / 挑战

  • 要求硕士8年以上或本科10年以上经验,门槛较高,适合资深工艺工程师
  • 半导体工艺研发工作压力大,需应对异常分析和产线紧急问题,可能加班

角色解读

  • 向半导体工艺技术专家或技术总监方向发展,深入掌握更先进的刻蚀技术和器件工艺
  • 可晋升为工艺研发总监或厂级技术负责人,统筹更大范围的工艺技术战略
  • 凭借深厚工艺经验,可转型为半导体设备公司应用工程师或技术顾问,拓宽职业边界
  • 主导SAW滤波器、GaAs射频器件等新产品的干法工艺研发,包括刻蚀工艺窗口搭建、规格标准建立和异常分析改善
  • 制定中长期工艺开发路线,配合产线扩产和新平台建设,完成多代产品的刻蚀工艺迭代规划
  • 通过掌握刻蚀等离子体机理和材料动力学,解决底层工艺问题,支撑新型器件开发
  • 管理工艺研发团队,进行技术培训和梯队建设,沉淀工艺数据库和标准方法
  • 精通介质刻蚀、金属刻蚀、台面/光栅刻蚀等干法工艺,熟悉刻蚀气体体系及关键参数调控
  • 具备8年以上半导体刻蚀工艺开发经验(硕士)或10年以上(本科),对刻蚀设备腔体结构有体系化认知
  • 有工艺建模能力或相关发明专利者优先,能将器件性能要求转化为工艺方案
  • 良好的沟通协调能力和团队管理经验,能承受工作压力,具备自驱力

申请策略

  • 提前了解卓胜微的产品线和技术方向,特别是SAW滤波器和GaAs工艺的最新进展
  • 准备1-2个完整的工艺开发案例,从问题定义、方案设计到结果验证,展示系统化思维
  • 突出8年以上刻蚀工艺开发经验,特别是SAW滤波器、GaAs器件等射频工艺项目
  • 强调工艺建模能力、发明专利、以及主导过工艺窗口搭建或0-1开发的经验
  • 展示团队管理或技术培训经历,以及跨部门协调项目案例
  • 列出掌握的刻蚀设备型号、气体体系、参数调控等具体技术细节
  • 若缺乏工艺建模经验,可学习TCAD仿真或统计工艺控制(SPC)方法
  • 补充射频器件物理知识,加深对器件性能与工艺关联的理解

面试指南

  • STAR法则(情景、任务、行动、结果)回答项目经验类问题,突出个人贡献和量化成果
  • 技术问题需先阐明底层原理,再结合具体工艺参数举例,体现体系化认知
  • 管理问题可结合团队规模、培训体系、项目推进方法等,展示领导力和沟通能力
  • 请描述一次你主导的刻蚀工艺开发项目,从0到1的过程和遇到的挑战
  • 如何解决刻蚀选择比和侧壁形貌之间的trade-off?请举例说明
  • 你如何管理和培养工艺研发团队?请分享你的团队管理经验
  • 对于GaAs HBT工艺中的台面刻蚀,关键参数如何设定?请详细解释
  • 请谈谈你对等离子体刻蚀中不同气体体系(如CF4、CHF3、SF6)的理解和应用场景

职位点评

69
综合评分

半导体射频器件干法工艺研发副经理,技术前沿、成长空间大,但工作强度高、需现场办公。

从薪资福利、成长空间、工作节奏和岗位方向综合评估,方便横向比较。

更适合这类人
该职位特别适合看重技术成长和行业前景、能接受现场高强度工作的资深工艺工程师。
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利70
成长发展85
工作生活40
使命价值75

薪资福利

70中等

薪资未在JD中明确,但根据行业和职位级别,预计月薪3-5万且含年终奖,福利可能包括五险一金等,补偿性中等偏上。

薪资信号未披露(AI估算:30K-50K/月)

成长发展

85较高

该职位负责前沿干法工艺研发,涉及射频器件核心技术,有明确的技术深度和团队管理成长空间,发展性较好。

技术前沿前沿/新兴技术
技术栈干法刻蚀、等离子体、SAW滤波器、GaAs HBT、pHEMT
成长机会梯队人才培养、技术培训
业务类型profit_center

工作生活

40较低

工作地点在无锡滨湖区,需现场办公,JD未提及弹性工作,半导体行业可能加班较多,生活化满足度较低。

工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况明确要求弹性/高强度

使命价值

75中等

半导体国产替代和射频芯片有较大社会价值,行业高速增长,该岗位参与核心技术研发,意义感较高。

行业发展高速增长赛道
社会影响正向社会影响力较高
创新程度积极采用新技术
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