长鑫存储
蚀刻工艺专家-Etch Process Expert(J21465)
蚀刻工艺专家-Etch Process Expert(J21465)
发布于 2 小时前普通员工/个人贡献者
全职员工仅现场办公工艺工程
工艺工程
3D堆叠
Doe实验设计
Tsv封装
半导体制造
工艺窗口优化
良率提升
蚀刻工艺
值不值得投
76综合评分
综合评分 76
前沿存储工艺专家岗，技术成长空间大，薪酬竞争力强，需适应Fab现场工作节奏。
从薪资福利、成长发展、工作生活和使命价值四个维度综合评估，方便横向比较。
薪资怎么样
4.8万
比工艺工程中位数高
发布情况
新岗位 · 今天发布
公司情况
这家公司招聘很活跃
约 1910 个在招 · 其中工艺工程 约 200 个
市场机会
选择面较广
合肥 · 工艺工程 · 约 190 个在招
职位详情
关于这个职位
负责3D堆叠及TSV蚀刻工艺的开发验证与参数优化，通过DOE设计固化可量产工艺窗口
主导制程异常排查与良率提升，协同推进设备导入调试与技术标准化，保障Fab产能稳定释放与工艺能力持续迭代
最低要求
教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子/物理/化学/材料等专业，具备扎实的等离子体蚀刻原理与半导体器件物理知识
专业技能与资格：能使用AMAT、LAM、NAURA、AMEC等蚀刻设备完成工艺开发与参数优化，具备DOE实验设计与数据分析能力，能阅读英文技术文献与设备手册
行业与专业经验：10年以上前段fab蚀刻工艺经验，其中包含后端（BEOL）蚀刻开发经历，有3D堆叠或TSV相关蚀刻工艺开发经验者优先
项目/任务成果：主导或作为核心成员完成至少2个蚀刻工艺开发或良率改善项目，具备3D集成或TSV工艺开发的量化交付案例
其他要求：具有系统性分析与跨部门协作能力，能主动推动技术风险闭环，工作严谨细致，具备自驱学习与技术创新意识
工作职责
蚀刻工艺开发与窗口构建： 主导3D堆叠及TSV蚀刻工艺的开发与验证，结合产品结构与材料特性，制定满足刻蚀速率、选择比及形貌控制要求的工艺方案
DOE设计与参数优化： 主导蚀刻工艺DOE实验设计，系统分析气体流量、功率、压力及温度等关键参数对蚀刻效果的影响，确定并固化可量产复现的工艺窗口
异常分析与良率提升： 主导蚀刻制程中的异常排查与缺陷分析，协同整合团队定位根因并推动改善，持续提升工艺能力指数与产品良率
设备导入与产能建设： 主导蚀刻设备（涵盖AMAT、LAM、NAURA、AMEC等平台）的功能评估、厂验收与工艺调试，建立设备验收标准与产能基线，保障产能快速释放与稳定运行
技术沉淀与标准化： 主导蚀刻工艺参数标准化与操作规范建设，迭代更新标准流程与工艺案例库，沉淀蚀刻工艺经验，提升团队整体技术能力
优先资格
有3D堆叠或TSV相关蚀刻工艺开发经验者优先
AI 洞察
优缺点分析
优点
- 聚焦3D堆叠与TSV等前沿存储工艺，技术壁垒高且行业需求旺盛
- 依托头部存储企业平台，接触先进Fab产线与顶级设备资源
- 技术专家路线清晰，长期职业价值稳固
- 跨部门协同复杂，对沟通与项目管理能力要求高
- 适合拥有深厚半导体前段工艺背景、追求技术纵深发展且能适应Fab现场工作环境的资深工程师
缺点 / 挑战
- 年以上严苛经验门槛较高，需持续跟进快速迭代的半导体工艺
- Fab环境工作节奏快，需应对突发良率波动与产能压力
角色解读
- 可向首席工艺专家或技术总监方向发展，深耕先进封装与存储芯片制造工艺
- 也可横向拓展至良率工程、整合工程或技术管理岗位
- 负责3D堆叠与TSV蚀刻工艺的开发验证及参数优化，固化量产工艺窗口
- 主导制程异常排查与良率提升，协同推进新设备导入与调试
- 建立工艺标准化体系，沉淀技术经验
- 精通等离子体蚀刻原理与半导体器件物理，熟练掌握AMAT/LAM等主流蚀刻设备操作
- 具备扎实的DOE实验设计与数据统计分析能力
- 熟悉3D集成或TSV工艺流程者优先
申请策略
- 提前研究长鑫存储最新产品架构与工艺节点
- 准备1-2个完整的工艺异常排查与改善案例，面试时按STAR法则详细阐述
- 重点突出主导的蚀刻工艺开发项目数据（如良率提升百分比、工艺窗口收窄幅度）
- 详细列出熟练使用的设备型号及DOE分析工具
- 强调3D堆叠/TSV相关量化成果
- 强化JMP/Minitab等高级统计分析软件的应用能力
- 补充先进封装（Fan-out/CoWoS）与TSV最新工艺文献阅读
- 提升跨部门项目统筹与汇报技巧
面试指南
- 采用“现象描述-假设提出-实验验证-根因锁定-措施固化”的逻辑闭环
- 结合设备参数、气体流场、腔体状态进行多维度交叉验证
- 强调数据驱动决策与跨团队协作
- 请分享一个你主导的蚀刻工艺窗口优化案例，如何平衡选择比与刻蚀速率？
- 遇到突发的颗粒污染或形貌异常，你的排查逻辑是什么？
- 如何在多变量DOE设计中确定关键参数并避免过拟合？
- 复习等离子体物理基础与反应离子刻蚀（RIE）机理
- 梳理过往项目的关键数据图表与改善前后对比
职位点评
薪资福利85
成长发展90
工作生活45
使命价值75
薪资福利
85较高
提供符合资深专家水平的市场化薪酬，叠加半导体行业典型的年终奖与项目激励，整体补偿性动机满足度较高。
薪资信号未披露（AI估算：3.5千–6.0万/月）
成长发展
90较高
聚焦3D堆叠与TSV等前沿存储工艺，技术栈处于行业领先地位，专家级岗位提供深厚的技术成长空间与行业话语权。
技术前沿前沿/新兴技术
技术栈蚀刻工艺、DOE、3D堆叠、TSV、等离子体
业务类型ambiguous
工作生活
45较低
Fab制造环境通常需驻厂支持产线，虽JD未明确工作模式，但工艺开发与良率攻关阶段往往伴随一定强度，生活化动机满足度中等偏下。
工作模式未明确
办公地点未明确
加班情况未提及（无法判断）
使命价值
75中等
参与国产高端存储芯片核心工艺突破，对国家半导体产业链自主可控具有实质性贡献，具备较强的行业使命感。
行业发展稳定成熟行业
社会影响正向社会影响力较高
创新程度积极采用新技术
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