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透射电镜失效分析工程师-TEM Failure Analysis Engineer(J19219)

透射电镜失效分析工程师-TEM Failure Analysis Engineer(J19219)

发布于 大约 3 小时前

普通员工/个人贡献者

北京市
中级经验
全职员工
仅现场办公
本科
研究与开发 (研发)
Doe
Fmea
Msa
Pfa
Tem
半导体
失效分析
质量分析
Fib制样

AI 估算 · 15k–25k

北京半导体大厂,中级失效分析工程师,技术门槛较高,薪资处于行业中上水平,加上年终奖,月薪中位数约2万。

职位详情

关于这个职位

加入长鑫存储,成为一名透射电镜失效分析工程师,你将主导半导体器件的TEM失效分析,通过高难度FIB制样和先进分析技术,深入定位产品缺陷的根本原因,为芯片良率提升提供关键支持

这是一个技术导向的岗位,需要你精通TEM操作与失效分析方法论,同时参与新分析方法的开发与优化,推动技术升级
适合具有半导体PFA背景、热爱钻研技术细节的工程师

最低要求

教育背景与专业知识:本科及以上学历,理工科、半导体或材料相关专业

专业技能与资格:具备PFA实务经验及半导体制程分析理论与实务经验,有FMEA、MSA、DOE、5Why等质量分析工具应用能力
行业与专业经验:具有3年以上直接经验(硕士学历可放宽)
项目/任务成果:主导过至少2个TEM失效分析或FIB制样改进项目,并能输出标准分析流程
其他要求:具有较强的沟通和团队协作能力,能主动分析问题并推动跨部门协作闭环

工作职责

TEM案件分析与制样:主导基础及进阶TEM案件分析,完成高难度FIB制样,输出分析报告,解决分析过程中的技术难题

机台运维与产能保障:挖掘并解决工艺制程潜在问题,维持量产及产能扩展,设计实验改善分析流程,快速解决机台故障导致的产出下降,协调人力分配并对案件分析结果提出专业意见
异常根因分析:解读失效分析需求,对比工艺查找缺陷异常的根本原因,分析产品关键尺寸异常,快速定位问题来源,通过分析手法锁定缺陷层别,协同设备或defect team讨论处置措施并确认根本原因
新分析方法开发:改良现有制样流程,建立新分析程序或手法,开发更高效率、高良率和高稳定性的分析方法,推动技术升级

优先资格

有TEM操作经验者优先

AI 洞察

优缺点分析

优点

  • 深度掌握高价值精密分析技术(TEM/FIB),在半导体行业具有极强不可替代性
  • 长鑫存储是国内DRAM龙头,平台大,项目资源丰富,能接触前沿制程
  • 技能积累扎实,未来可转向工艺、良率、质量等方向,职业发展空间广阔
  • 需应对机台故障和紧急分析任务,有时需要加班处理异常
  • 技术迭代快,需要持续学习新分析方法和行业标准

缺点 / 挑战

  • 对细节和准确性要求极高,工作压力大,需要耐心和严谨
  • 适合对微观世界有浓厚兴趣、喜欢钻研技术难题、具备半导体工艺背景且能承受一定工作压力的工程师

角色解读

  • 从TEM失效分析工程师向资深专家发展,成为半导体失效分析领域的核心技术骨干
  • 横向拓展至工艺整合或良率提升岗位,深入理解芯片制造全流程
  • 纵向晋升为技术管理岗,带领失效分析团队,负责方法论创新和团队能力建设
  • 使用透射电镜(TEM)对半导体器件进行失效分析,包括高难度FIB制样和图像解析
  • 主导分析项目,输出标准化的失效分析报告,并协同跨部门团队定位产品缺陷根本原因
  • 参与新分析方法的开发,优化现有流程,提升分析效率与质量
  • 精通TEM操作与FIB制样技术,能独立完成复杂样品的制备与分析
  • 熟悉半导体工艺制程和PFA(物理失效分析)流程
  • 掌握FMEA、MSA、DOE、5Why等质量工具,具备系统性根因分析能力
  • 具备良好的沟通能力和项目主导经验,能推动多部门协作

申请策略

  • 在求职信中表达对半导体失效分析的热情和长期技术深耕意愿
  • 了解长鑫存储在DRAM领域的技术路线,可在面试中展示对行业趋势的认知
  • 突出TEM和FIB制样的具体操作经验,附上主导的失效分析项目案例
  • 强调半导体工艺知识,特别是DRAM或逻辑器件的失效机理
  • 展示使用FMEA/DOE等质量工具解决问题的实际成果
  • 提前复习半导体物理和工艺知识,尤其是光刻、刻蚀、薄膜等模块
  • 建议熟悉TESCAN、FEI等主流TEM/FIB设备操作(如有渠道可提前上手)
  • 学习Python或JMP等数据分析工具,辅助改善分析流程

面试指南

  • STAR法则:阐述情境(Situation)、任务(Task)、行动(Action)、结果(Result),突出技术难点和你的贡献
  • 结构化思考:对问题分步骤拆解(如问题定义→假设→验证→结论),体现系统性分析方法
  • 数据驱动:引用具体数据(如良率提升百分比、分析时间缩短等)证明效果
  • 请描述一个你主导的TEM失效分析案例,包括问题背景、分析过程和最终结论
  • 如何通过FIB制样避免样品损伤?常见的假象有哪些?
  • 如果遇到机台故障导致产出下降,你如何快速排查并恢复?
  • 讲一讲你如何运用DOE设计实验来改进分析流程?
  • 准备2-3个完整的失效分析项目案例,能流畅讲述技术细节和量化成果

职位点评

63
综合评分

技术成长性强、薪资中上、平台大,但工作地点固定且存在加班可能。

从薪资福利、成长空间、工作节奏和岗位方向综合评估,方便横向比较。

更适合这类人
最适合追求技术深耕和长期职业发展的求职者,对薪资和WLB要求相对适中。
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利65
成长发展80
工作生活40
使命价值60

薪资福利

65中等

薪资水平在行业中上,但未明确披露福利细节,整体补偿性一般。

薪资信号未披露(AI估算:15K-25K/月)

成长发展

80较高

岗位涉及前沿失效分析技术,能深度积累半导体核心技能,成长性强。

技术前沿主流现代技术
技术栈TEM、FIB、半导体工艺、FMEA、DOE
业务类型cost_center

工作生活

40较低

仅现场办公,地点北京,未提及弹性工作或WLB信号,可能面临加班压力。

工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况未提及(无法判断)

使命价值

60中等

半导体行业稳定,失效分析对提升芯片良率有直接价值,但社会影响力中性。

行业发展稳定成熟行业
社会影响中性/一般
创新程度积极采用新技术
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