舍弗勒
E/E Eng. EMob
E/E Eng. EMob
发布于 大约 15 小时前普通员工/个人贡献者
天津市
中级经验
全职员工
仅现场办公
本科
硬件工程
硬件设计
电力电子
电路仿真
逆变器
电动汽车
功率模块
IGBT
FMEDA
SiC MOSFET
AI 估算 · 15k–25k
电动汽车驱动硬件岗位技术门槛高，市场薪资有竞争力，天津中等水平。
职位详情
关于这个职位
该职位负责电动汽车逆变器和功率模块的硬件设计，包括原理图设计、电路仿真、测试等
需电力电子背景，3年以上相关经验，熟悉IGBT/SiC MOSFET驱动和保护
最低要求
电力电子相关专业本科及以上学历
至少3年电动汽车逆变器或电机控制器或功率模块的电子设计经验
深入了解IGBT和 SiC MOSFET的驱动、保护及结温计算原理
良好的英语能力
工作职责
负责电动汽车逆变器（400V/800V)/功率模块的硬件设计
负责硬件的需求分解和设计，原理图设计，硬件电路仿真，驱动电路设计，功率模块双脉冲测试和出流能力测试
负责硬件产品的FMEDA分析，最差工况计算（WCA），硬件电路测试执行和测试规范编写
优先资格
具备开关电源设计、变频器设计、风电变流器、储能逆变器及电动汽车驱动器设计经验者优先
AI 洞察
优缺点分析
优点
- 电动汽车行业高速发展，技术积累价值高，前景广阔
- 舍弗勒作为跨国巨头，平台稳定，项目规范，福利体系完善
- 深入接触功率半导体前沿技术（SiC MOSFET），提升核心竞争力
- 技术更新快（如从IGBT转向SiC），需持续学习和适应
- 适合电力电子背景，对电动汽车驱动技术有浓厚兴趣，愿意深入硬件设计的工程师
缺点 / 挑战
- 硬件设计周期长，测试验证流程严谨，工作压力较大
- 要求较高的英语能力以进行跨国协作和技术文档编写
角色解读
- 向高级硬件工程师或技术专家发展，深入功率电子领域
- 可转向硬件团队管理岗位，带领项目小组
- 向系统级工程或功能安全等方向拓展
- 设计电动汽车逆变器和功率模块硬件电路，负责需求分解、原理图设计
- 进行硬件电路仿真、双脉冲测试和出流能力测试，验证驱动和保护电路
- 编写测试规范并执行硬件测试，进行FMEDA分析和最差工况计算
- 电力电子专业知识，深入理解IGBT和SiC MOSFET的驱动、保护及结温计算
- 硬件电路仿真和测试能力，熟练掌握相关仪器和工具
- 良好的英语能力，能够阅读英文资料和沟通
申请策略
- 提前了解舍弗勒在电驱动领域的布局和产品线，在面试中体现对公司业务的兴趣
- 准备1-2个详细的硬件设计项目案例，用STAR法则描述
- 突出逆变器或功率模块设计项目经验，详细描述驱动和保护电路设计细节
- 强调电路仿真和测试能力，列出使用的软件和仪器
- 展示英语水平，如通过CET-6或有过英文项目经历
- 学习SiC MOSFET最新驱动技术及相关文献
- 掌握常用仿真工具如PLECS、LTspice
- 了解功能安全标准ISO 26262在硬件设计中的应用
面试指南
- 使用STAR法则描述项目：情境、任务、行动、结果
- 从原理到具体参数逐步说明，突出设计考量和验证方法
- 对比不同技术方案，展示知识深度和广度
- 请介绍一个你参与过的逆变器或功率模块硬件设计项目
- 如何设计IGBT驱动电路？保护措施有哪些？
- 如何进行双脉冲测试？测试结果如何分析？
- SiC MOSFET与IGBT在驱动设计上有哪些主要区别？
- FMEDA分析的步骤和用途是什么？
职位点评
71
综合评分
汽车电子硬件岗，前沿技术、稳定平台，WLB预期一般
更适合这类人
适合追求技术成长、愿意在硬件领域深耕的求职者
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利75
成长发展80
工作生活60
使命价值70
薪资福利
75中等
薪资在天津具备竞争力，福利稳定，但JD未明确披露薪资和福利详情，综合评分中等偏上。
薪资信号未披露（AI估算：15K-25K/月）
成长发展
80较高
涉及电动汽车前沿技术（SiC MOSFET），技术成长空间大，但晋升路径未明确提及。
技术前沿前沿/新兴技术
技术栈电动汽车、逆变器、功率模块、IGBT、SiC MOSFET、双脉冲测试
业务类型profit_center
工作生活
60中等
仅现场办公，外企通常WLB较好但无明确信号，可能有一定加班压力。
工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况未提及（无法判断）
使命价值
70中等
电动汽车行业高速增长，对社会有积极贡献，但职位偏向技术执行，使命感一般。
行业发展高速增长赛道
社会影响中性/一般
创新程度积极采用新技术
Watch Jobs