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Passive 器件研发工程师-TD Passive Device Engineer(J19325)

Passive 器件研发工程师-TD Passive Device Engineer(J19325)

发布于 大约 9 小时前

普通员工/个人贡献者

合肥市
中级经验
全职员工
仅现场办公
硕士
研究与开发 (研发)
Bjt
Cmos
Layout设计
Wat测试
半导体器件物理
团队协作
数据处理
Diode
Mim/Mom

AI 估算 · 20k–40k

合肥半导体研发岗,硕士+3年经验,市场薪资中等偏上,长鑫存储平台稳定,综合待遇有竞争力。

职位详情

关于这个职位

该职位负责开发半导体无源器件(如BJT、二极管、MIM电容等),需要对接设计部门制定器件参数,优化工艺以提升性能,并通过测试数据分析进行模型校准

适合微电子、物理等专业背景、有3年以上半导体器件或工艺经验的求职者,工作地点在合肥

最低要求

硕士研究生及以上学历,微电子、物理、材料等专业

具备半导体器件物理、CMOS、passive device 工作原理基础知识,了解工艺流程
具备良好的数据处理和分析能力、良好的团队协作、沟通能力,能够与跨部门团队进行有效合作,解决技术问题

工作职责

负责 passive device (包括BJT、diode、varactor、MIM/MOM、Resistor 等)开发,工作内容包括:

根据客户需求,对接design,设计满足客户要求性能的器件
能基于design rule 进行 layout 设计,完成 器件model target 建立
熟悉先进逻辑工艺流程,了解器件工作原理,与PIE部门对接,优化工艺,优化器件性能
设计Testkey 测试器件关键电性,分析WAT 测试结果与inline 关系,优化器件性能,并结合WAT 测试结果进行Model 校准

优先资格

具有半导体行业经验,有device、spice model、PIE等3年及以上工作经验优先

AI 洞察

优缺点分析

优点

  • 半导体行业是国家重点扶持领域,长鑫存储作为DRAM龙头,技术积累深厚,发展前景好
  • 职位涉及先进工艺节点,能深入掌握核心器件开发流程,技能含金量高
  • 公司提供较完善的研发平台和资源,有助于积累项目经验
  • 对专业背景要求高,需要同时掌握器件物理、工艺和测试等多方面知识,学习曲线陡峭
  • 合肥相对于一线城市,相关产业聚集度略低,长期职业选择范围有限
  • 适合微电子、物理等专业背景,对半导体器件有浓厚兴趣,愿意在技术深度上持续钻研,并能适应研发节奏的求职者

缺点 / 挑战

  • 半导体研发周期长、压力大,可能面临紧迫的项目节点和加班

角色解读

  • 技术路线:从器件研发工程师成长为器件专家或技术带头人,主导关键技术节点开发
  • 管理路线:积累经验后转向技术管理岗位,带领团队完成器件定制化项目
  • 横向拓展:未来可向SPICE模型、PIE或设计服务等方向延伸
  • 根据客户需求设计无源器件(如BJT、二极管、MIM电容等),制定器件模型目标并完成layout设计
  • 与工艺整合(PIE)部门协作,优化工艺流程以改善器件性能
  • 设计测试结构(Testkey),分析WAT电性数据与inline参数的关系,并基于结果校准器件模型
  • 扎实的半导体器件物理基础,熟悉CMOS工艺流程及无源器件工作原理
  • 具备layout设计能力,能基于design rule完成器件版图
  • 良好的数据处理与分析能力,熟练使用WAT测试数据
  • 跨部门沟通协作能力,能与design、PIE等团队有效合作

申请策略

  • 关注长鑫存储的技术方向和产品路线,了解其DRAM制程中无源器件的应用场景
  • 面试时准备1-2个详细的器件开发或问题解决案例,展示系统性思维
  • 突出半导体器件相关项目经历,特别是无源器件设计、工艺优化或模型提取的成果
  • 强调数据分析能力,如WAT测试、SPICE模型校准等具体案例
  • 展示跨部门协作经验,尤其是与设计或工艺部门合作解决问题的实例
  • 若有过半导体大厂(如SMIC、TSMC)工作经验,务必强调
  • 提前复习半导体器件物理(如PN结、MOSFET、BJT原理)和CMOS工艺流程
  • 学习使用TCAD仿真工具(如Sentaurus)和SPICE模型提取方法(如BSIM)

面试指南

  • 用STAR法则(情境-任务-行动-结果)结构化回答行为类问题,突出技术深度和协作过程
  • 技术类问题先给出核心原理,再结合实际项目中遇到的挑战和解决方案
  • 请解释BJT和MOSFET的主要区别,以及在CMOS工艺中如何集成无源器件?
  • 描述一次你通过优化工艺改善器件性能的经历,具体用了哪些方法?
  • WAT测试中,如果某个器件参数异常,你会如何排查原因?
  • 如何根据design rule进行layout设计?考虑哪些折衷?
  • 你如何与PIE团队协作解决工艺窗口问题?
  • 复习半导体器件物理教材(如施敏《半导体器件物理》),重点掌握无源器件特性和模型

职位点评

71
综合评分

大厂研发岗,技术前沿、成长性好,但WLB一般且薪资需面议。

从薪资福利、成长空间、工作节奏和岗位方向综合评估,方便横向比较。

更适合这类人
最适合追求技术深度和职业成长的求职者,愿意在研发强度下积累核心技能。
表现最好
成长发展
相对薄弱
工作生活
薪资福利70
成长发展85
工作生活50
使命价值75

薪资福利

70中等

薪资未明确但大厂通常提供有竞争力的薪酬和福利,但需面议,不确定性中等。

薪资信号未披露(AI估算:20K-40K/月)

成长发展

85较高

涉及先进逻辑工艺和无源器件前沿技术,研发项目深入,成长空间大,但未明确晋升机制。

技术前沿主流现代技术
技术栈Passive device、BJT、diode、varactor、MIM/MOM、Resistor、CMOS、WAT、Model校准
业务类型profit_center

工作生活

50较低

仅现场办公且未提及弹性时间,半导体研发通常压力较大,WLB一般。

工作模式仅现场办公
办公地点科技园/产业园
加班情况未提及(无法判断)

使命价值

75中等

半导体行业高速增长,但该职位直接社会意义有限,技术贡献偏向商业驱动。

行业发展高速增长赛道
社会影响中性/一般
创新程度积极采用新技术
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